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近期，中科院半導體研究所半導體材料科學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗室、低維半導體材料與器件北京市重點(diǎn)實(shí)驗室在科技部、國家自然科學(xué)基金委及中科院等項目的支持下，經(jīng)過(guò)探索，制備成功太赫茲量子級聯(lián)激光器系列產(chǎn)品。
太赫茲(THz)量子級聯(lián)激光器是一種通過(guò)在半導體異質(zhì)結構材料的導帶中形成電子的受激光學(xué)躍遷而產(chǎn)生相干極化THz輻射的新型太赫茲光源。中科院半導體材料科學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗室經(jīng)過(guò)基礎研究和技術(shù)開(kāi)發(fā)，其目前推出系列太赫茲量子級聯(lián)激光器產(chǎn)品系列，系列產(chǎn)品頻率覆蓋2.9~3.3THz，工作溫度10~90K，功率5~120mW。
太赫茲波介于中紅外和微波之間，是一種安全的具有非離化特征的電磁波。它能夠穿透大多數非導電材料同時(shí)又是許多分子光學(xué)吸收的特征指紋光譜范圍。它的光子能量低(1THz對應的能量大約4meV)，穿透生物組織時(shí)不會(huì )產(chǎn)生有害的光電離和破壞，在應用到對生物組織的活體檢驗時(shí)，比X光更具優(yōu)勢。它的波長(cháng)比微波短，能夠被用于更高分辨率成像。THz波在分子指紋探測、診斷成像、安全反恐、寬帶通訊、天文研究等方面具有重大的科學(xué)價(jià)值和廣闊的應用前景。
