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Copyright (c) 2012 機電產(chǎn)品交易網(wǎng) . 版權所有 皖I(lǐng)CP備12004440號-2
近期,紫光集團官網(wǎng)發(fā)布:由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設的國家存儲器基地項目(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“項目”),在武漢東湖高新區正式動(dòng)工建設。該項目總投資240億美元,主要生產(chǎn)存儲器芯片,總占地面積1968畝,將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠(chǎng)房、1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑,項目一期計劃2018年建成投產(chǎn),2020年完成整個(gè)項目,總產(chǎn)能將達到30萬(wàn)片/月,年產(chǎn)值將超過(guò)100億美元。
存儲芯片是集成電路的三大品類(lèi)之一,廣泛應用于內存、U盤(pán)、消費電子、智能終端、固態(tài)存儲硬盤(pán)等領(lǐng)域,其銷(xiāo)售額占據整個(gè)芯片產(chǎn)業(yè)的比重超過(guò)25%,其技術(shù)能充分反映一個(gè)國家或地區的半導體發(fā)展水平。根據賽迪顧問(wèn)的數據,2014年中國存儲芯片市場(chǎng)規模達到2465.5億元,占國內集成電路市場(chǎng)份額的23.7%。國內存儲芯片幾乎100%來(lái)自進(jìn)口,每年進(jìn)口存儲芯片的金額高達600億美元。根據Trendforce的數據,2016年Q3三星電子在全球DRAM存儲器領(lǐng)域的份額高達50.2%,SK海力士占24.8%的份額;三星電子在全球NAND FLASH領(lǐng)域的市場(chǎng)份額為36.6%,SK海力士占10.4%的份額。
項目將以存儲芯片制造環(huán)節為突破口,形成涵蓋存儲器芯片設計、制造、封裝測試、技術(shù)研發(fā)等全產(chǎn)業(yè)鏈的IDM模式,為國內電子信息產(chǎn)業(yè)的轉型升級提供有效支撐。我們認為,項目的啟動(dòng)將實(shí)現國產(chǎn)存儲器芯片從0到1的突破,填補國內存儲器產(chǎn)業(yè)的空白,表明國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰略在存儲器芯片領(lǐng)域落地,將有效保障國家信息安全。
從日、韓半導體發(fā)展歷程上看,日本政府在1976~1979年組織了5家最大的半導體制造商形成集成電路研究團隊,并投入大量資金和人力,于1980年研制出64KDRAM存儲器(比美國早半年)和256KDRAM存儲器(比美國早2年);20世紀80年代末的韓國政府以存儲器作為突破口,形成“官民一體”的DRAM存儲器研發(fā)小組,投入大量資源突破存儲器技術(shù),1994年三星電子在全球率先推出256M DRAM,隨后韓國半導體產(chǎn)業(yè)便超越日本成為世界第一。
目瞄準存儲器新興領(lǐng)域中的3D NAND Flash,通過(guò)與飛索半導體合作、集中資源進(jìn)行先進(jìn)存儲器技術(shù)攻關(guān),將有望加速突破技術(shù)瓶頸。3D NAND FLASH作為一種新興的存儲器技術(shù),其演進(jìn)邏輯是依靠三維芯片堆疊而不僅是工藝制程縮小,相比2D NAND FLASH擁有體積更小、容量更大、成本更低等優(yōu)勢。我們認為,項目以3D NAND Flash存儲器作為突破口,起點(diǎn)高、投資力度大,在國家的大力支持下,有望突破存儲器相關(guān)的技術(shù)瓶頸并實(shí)現量產(chǎn)。
項目的建設將帶動(dòng)國內半導體設備、材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展
