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國家新型平板顯示和寬帶設備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化專(zhuān)項申報啟動(dòng)

放大字體??縮小字體 發(fā)布日期:2014-05-09
核心提示:為推動(dòng)我國新型平板顯示產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展,落實(shí)“寬帶中國”戰略,國家發(fā)展改革委、工業(yè)和信息化部擬組織實(shí)施新型平板顯示和寬帶網(wǎng)絡(luò )設備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化專(zhuān)項。

 

發(fā)改辦高技[2014]893號

各省、自治區、直轄市及計劃單列市、新疆生產(chǎn)建設兵團發(fā)展改革委、工業(yè)和信息化主管部門(mén),有關(guān)中央管理企業(yè):

為推動(dòng)我國新型平板顯示產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展,落實(shí)“寬帶中國”戰略,國家發(fā)展改革委、工業(yè)和信息化部擬組織實(shí)施新型平板顯示和寬帶網(wǎng)絡(luò )設備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化專(zhuān)項?,F將有關(guān)事項通知如下:

一、專(zhuān)項支持重點(diǎn)

(一)新型平板顯示領(lǐng)域

1、高世代(6代及以上)薄膜晶體管液晶顯示(TFT-LCD)用高性能混合液晶材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化

要求:驅動(dòng)電壓≤7V,響應時(shí)間≤15ms,電阻率≥1×1013Ω?cm,單體純度>99.90%,粘度<20mPa?s;申報單位已實(shí)現年銷(xiāo)售量大于1噸。

2、有源有機發(fā)光顯示(AMOLED)用高精度金屬因鋼蒸鍍掩膜板研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化

要求:尺寸≥650mm×750mm,最小開(kāi)口尺寸25μm,開(kāi)口精度≤±3μm,開(kāi)口間距≤50μm,定位精度≤±5μm;申報單位已實(shí)現年銷(xiāo)售量大于80套。

3、AMOLED用高性能、長(cháng)壽命有機藍色電致發(fā)光、電子傳輸和空穴注入/傳輸材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化

要求:達產(chǎn)后形成年產(chǎn)發(fā)光材料25公斤、其他材料500公斤的生產(chǎn)能力,其中:藍光材料色度坐標達到CIE(0.14±0.01,0.07±0.01),1000cd/m2亮度下,效率>6cd/A;空穴傳輸材料遷移率>8.0×10-4cm2/Vs;電子傳輸/空穴注入材料采用飛行時(shí)間法測試,遷移率>5.0×10-3cm2/Vs;玻璃化轉變溫度Tg≥130℃;驅動(dòng)電壓低于4V情況下,對應器件特性指標LT95壽命要求紅、綠(>5000cd/m2)≥3000小時(shí),藍(>500cd/m2)≥1000小時(shí);實(shí)驗片發(fā)光區面積3mm×3mm。

4、高分辨率面板驅動(dòng)IC研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化

要求:支持高分辨率(4K×2K)及以上電視面板、300PPI(每英寸像素數目)及以上手機面板,并可根據面板廠(chǎng)商要求提供不同接口技術(shù)。

5、高世代TFT-LCD及AMOLED用PECVD設備研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化

要求:可制備非晶硅、氮化硅、氧化硅、三氧化二鋁等薄膜材料,成膜非均勻度≤±3%,基板處理能力≥20片/小時(shí)。

6、高世代TFT-LCD及AMOLED用濺射鍍膜設備研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化

要求:靶材利用率>75%,薄膜非均勻性<5%,可制備ITO(氧化銦錫)、IGZO(氧化銦鎵鋅)、鋁、鉬等薄膜材料。

7、AMOLED蒸鍍設備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

要求:最大可鍍膜基板尺寸650mm×750mm,OLED(發(fā)光顯示)材料利用率≥25%,OLED鍍膜均勻度≤±3%,對位精度2μm,生產(chǎn)節拍120秒。

(二)寬帶網(wǎng)絡(luò )設備領(lǐng)域

1、新一代光纖寬帶接入核心設備研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化

要求:支持GPON/XG-PON(吉比特/10吉比特無(wú)源光纖網(wǎng)絡(luò ))共存,單板不少于4個(gè)40Gbps接口的PON系統,ONU(光網(wǎng)絡(luò )單元)支持無(wú)色特性。

2、超高速波分復用傳輸系統研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化

要求:400Gbps高速波分復用傳輸設備,無(wú)電中繼傳輸距離不小于800公里,單光纖速率不低于16Tbps。

3、分組光傳送網(wǎng)設備研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化

要求:基于統一信元交換的POTN(分組光傳送網(wǎng))設備,單槽位接入容量不小于200Gbps,整機交換容量不低于6.4Tbps,支持多類(lèi)型業(yè)務(wù),交換容量動(dòng)態(tài)分配,高精度時(shí)鐘和頻率同步傳送。

4、高端核心路由器研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化

要求:?jiǎn)伟蹇▎蜗蜣D發(fā)性能不低于400Gbps,單機框轉發(fā)性能不低于12.8Tbps,支持業(yè)務(wù)框數量不低于4個(gè)的集群形態(tài)。

5、高端數據交換設備研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化

要求:?jiǎn)伟蹇▎蜗蜣D發(fā)性能不低于1Tbps,整機雙向交換容量不低于20Tbps。

6、運營(yíng)商級IPv4/IPv6網(wǎng)絡(luò )地址翻譯設備研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化

要求:支持IPv4/IPv6雙協(xié)議棧,CGN(運營(yíng)商級網(wǎng)絡(luò )地址翻譯)業(yè)務(wù)板卡速率不低于200Gbps,整機支持翻譯會(huì )話(huà)數不低于1000萬(wàn)。

二、申報要求

(一)項目主管部門(mén)應根據《中央預算內投資補助和貼息項目管理辦法》的有關(guān)規定,按照專(zhuān)項支持重點(diǎn)要求,結合本單位、本地區實(shí)際情況,認真做好項目組織和備案工作,指導項目建設單位編寫(xiě)項目資金申請報告,并協(xié)調落實(shí)項目建設資金、節能、環(huán)保、土地、規劃等相關(guān)建設條件。項目主管部門(mén)應對資金申請報告及相關(guān)附件進(jìn)行認真核實(shí),并負責對其真實(shí)性予以確認。

(二)項目建設單位應為企業(yè)法人,一個(gè)單位限報一個(gè)項目。項目建設單位應實(shí)事求是制定建設方案,嚴格控制征地、新增建筑面積和投資規模。項目資金申請報告的具體編寫(xiě)要求及所需附件內容參見(jiàn)附件1。

(三)申報新型平板顯示領(lǐng)域的材料廠(chǎng)商需提供與面板企業(yè)簽署的合作協(xié)議;設備廠(chǎng)商需提供與面板企業(yè)簽署的聯(lián)合開(kāi)發(fā)協(xié)議。其中,申報濺射設備的廠(chǎng)商需提供與配套靶材企業(yè)簽署的合作協(xié)議。

(四)申報寬帶網(wǎng)絡(luò )設備領(lǐng)域的單位,應結合自身基礎條件,在支持重點(diǎn)方向中自行選擇兩類(lèi)以上設備申報。

(五)請各項目主管部門(mén)于2014年5月16日前,將項目資金申請報告和有關(guān)附件、項目簡(jiǎn)介(不超過(guò)3000字)、匯總表(見(jiàn)附件2)等紙質(zhì)文件一式2份及電子版,分別報送國家發(fā)展改革委(高技術(shù)司)、工業(yè)和信息化部(規劃司)。

附件:1、項目資金申請報告編制要點(diǎn)

2、項目匯總表

國家發(fā)展改革委辦公廳

工業(yè)和信息化部辦公廳

2014年4月25日
 

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