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 碳化硅功率模塊的優(yōu)點(diǎn)
Hybrid SiC Module混合碳化硅和SiC MOSFET功率模塊結合了成熟的工業(yè)標準功率模塊和封裝技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)。得益于多種封裝優(yōu)化，碳化硅的各種優(yōu)點(diǎn)得以充分利用。
碳化硅功率模塊換向電感降低可以實(shí)現SiC MOSFET的全速開(kāi)關(guān)。更高的開(kāi)關(guān)速度可以轉換成更高的開(kāi)關(guān)頻率，從而得到更小的磁性過(guò)濾器 元件。同時(shí)可以降低開(kāi)關(guān)損耗，提高系統效率。精密的材料和封裝技術(shù)可以將芯片與散熱片之間的熱阻減至更小，從而實(shí)現更高的功率密度。
碳化硅功率模塊的關(guān)鍵特性
更高的開(kāi)關(guān)頻率，夠優(yōu)化濾波元件并降低其成本
冷卻設備更緊湊，降低功率損耗，從而提升效率并降低系統成本和規模
最新的碳化硅SiC MOSFET芯片
標準工業(yè)封裝，按照碳化硅的要求進(jìn)行優(yōu)化：電感，低熱阻
針對實(shí)際應用優(yōu)化芯片組 
碳化硅功率模塊的應用 
太陽(yáng)能逆變器：升壓電路和逆變器應用
儲能系統：大效率和低噪聲
UPS：高效雙轉換系統
電機驅動(dòng)器：主動(dòng)前端與電機側（混合碳化硅和SiC MOSFET 三相全橋和半橋）
電源：牽引應用、感應加熱等的助電源
領(lǐng)先的芯片和封裝技術(shù)，實(shí)現最大能效
混合碳化硅模塊：功率損耗降低50%，用簡(jiǎn)便
IGBT開(kāi)關(guān)與碳化硅肖特基二極管相結合
幾乎沒(méi)有二極管損耗... [詳細介紹]