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普賽斯IGBT|SiC功率半導體器件測試設備,集多種測量和分析功能一體,可以精準測量功率半導體器件的靜態(tài)參數,具有高電壓和大電流特性、uQ級精確測量、nA級電流測量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測量功率器件結電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。詳詢(xún)18140663476
IGBT測試系統圖
普賽斯功率器件靜態(tài)測試系統配置由多種測量單元模塊組成,系統模塊化的設計能夠極大方便用戶(hù)添加或升級測量模塊,適應測量功率器件不斷變化的需求。
“雙高”系統優(yōu)勢
高電壓、大電流
具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達3500V(蕞大可擴展至10kV)
具有大電流測量/輸出能力,電流高達6000A(多模塊并聯(lián))
高精度測量
nA級漏電流, μΩ級導通電阻
0.1%精度測量
模塊化配置
可根據實(shí)際測試需要靈活配置多種測量單元系統預留升級空間,后期可添加或升級測量單元
測試效率高
內置專(zhuān)用開(kāi)關(guān)矩陣,根據測試項目自動(dòng)切換電路與測量單元
支持國標全指標的一鍵測試
擴展性好
支持常溫及高溫測試可靈活定制各種夾具
測試項目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續流二極管壓降Vf
I-V特性曲線(xiàn)掃描，C-V特性曲線(xiàn)掃描等
IGBT|SiC功率半導體器件測試設備就找普賽斯儀表咨詢(xún)，詳詢(xún)一八一四零六六三四七六；PMST系列功率器件靜態(tài)參數測試系統，是普賽斯儀表經(jīng)過(guò)精心設計與打造的高精密電壓/電流測試分析系統。該系統不僅具備IV、CV、跨導等多元化的測試功能，還擁有高精度、寬測量范圍、模塊化設計以及便捷的升級擴展等顯著(zhù)優(yōu)勢。它能夠全面滿(mǎn)足從基礎功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數表征和測試需求，確保測量效率、一致性與可靠性的卓越表現。
此外，普賽斯儀表功率半導體靜態(tài)參數測試解決方案還支持交互式手動(dòng)操作或結合探針臺的自動(dòng)操作，能夠在整個(gè)表征過(guò)程中實(shí)現高效和可重復的器件表征。同時(shí)，該方案還可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用，滿(mǎn)足高低溫測試需求。從pA級、mV級高精度源表到kA級、10kV源表，普賽斯的產(chǎn)品解決了國內企業(yè)在半導體芯片以及第三代半導體芯片測試中的儀表國產(chǎn)化問(wèn)題，并在客戶(hù)IGBT產(chǎn)線(xiàn)上推出了多條測試示范線(xiàn)，引領(lǐng)了國內IGBT測試的技術(shù)潮流。