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隨著(zhù)行業(yè)技術(shù)革新和新材料性能發(fā)展，功率半導體器件結構朝復雜化演進(jìn)，功率半導體的襯底材料朝大尺寸和新材料方向發(fā)展。以SiC（碳化硅)、GaN(氮化鎵)為代表的第三代寬禁帶半導體材料迅速崛起，它們通常具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、高溫穩定性以及可承受大功率等特點(diǎn)，使其在光電器件、電力電子、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現出巨大的潛力。
不同材料、不同技術(shù)的功率器件的性能差異很大。市面上傳統的測量技術(shù)或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測試需求。但是寬禁帶半導體器件SiC(碳化硅)或GaN(氮化鎵)的技術(shù)卻極大擴展了高壓、高速的分布區間，如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線(xiàn)或其它靜態(tài)特性，這就對器件的測試工具提出更為嚴苛的挑戰。
靜態(tài)參數主要是指本身固有的，與其工作條件無(wú)關(guān)的相關(guān)參數。靜態(tài)參數測試又叫穩態(tài)或者DC（直流）狀態(tài)測試，施加激勵(電壓/電流)到穩定狀態(tài)后再進(jìn)行的測試。主要包括：柵極開(kāi)啟電壓、柵極擊穿電壓、源極漏級間耐壓、源極漏級間漏電流、寄生電容(輸入電容、轉移電容、輸出電容),以及以上參數的相關(guān)特性曲線(xiàn)的測試。
圍繞第三代寬禁帶半導體靜態(tài)參數測試中的常見(jiàn)問(wèn)題，如掃描模式對SiC MOSFET 閾值電壓漂移的影響、溫度及脈寬對SiC MOSFET 導通電阻的影響、等效電阻及等效電感對SiC MOSFET導通壓降測試的影響、線(xiàn)路等效電容對SiC MOSFET測試的影響等多個(gè)維度，針對測試中存在的測不準、測不全、可靠性以及效率低的問(wèn)題，普賽斯儀表提供一種基于國產(chǎn)化高精度數字源表（SMU）的測試方案，具有更優(yōu)的測試能力、更準確的測量結果、更高的可靠性與更全面的測試能力。詳詢(xún)一八一四零六六三四七六
系統特點(diǎn)
高電壓：支持高達3.5KV高電壓測試（Z大擴展至10kV）；
大電流：支持高達6KA大電流測試（多模塊并聯(lián)）；
高精度：支持uΩ級導通電阻、nA級漏電流測試；
豐富模板：內置豐富的測試模板，方便用戶(hù)快速配置測試參數；
配置導出：支持一鍵導出參數配置及一鍵啟動(dòng)測試功能；
數據預覽及導出：支持圖形界面以及表格展示測試結果，亦可一鍵導出；
模塊化設計：內部采用模塊化結構設計，可自由配置，方便維護；
可拓展：支持拓展溫控功能，方便監控系統運行溫度；
可定制開(kāi)發(fā)：可根據用戶(hù)測試場(chǎng)景定制化開(kāi)發(fā)；
系統參數
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項目 |
參數 |
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集電極-發(fā)射極 |
Z大電壓 |
3500V |
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Z大電流 |
6000A |
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精度 |
0.10% |
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大電壓上升沿 |
典型值5ms |
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大電流上升沿 |
典型值15us |
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大電流脈寬 |
50us~500us |
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漏電流測試量程 |
1nA~100mA |
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柵極-發(fā)射極 |
Z大電壓 |
300V |
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Z大電流 |
1A(直流)/10A(脈沖) |
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精度 |
0.05% |
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Z小電壓分辨率 |
30uV |
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Z小電流分辨率 |
10pA |
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電容測試 |
典型精度 |
0.5% |
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頻率范圍 |
10Hz~1MHz |
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電容值范圍 |
0.01pF~9.9999F |
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溫控 |
范圍 |
25℃~150℃ |
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精度 |
±1℃ |
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測試項目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續流二極管壓降Vf
I-V特性曲線(xiàn)掃描，C-V特性曲線(xiàn)掃描等
