點(diǎn)擊圖片查看大圖
-
LED必須在合適的電流電壓驅動(dòng)下才能正常工作。其電壓-電流之間的關(guān)系稱(chēng)為I-V特性。通過(guò)對LED電特性的測試，可以獲得對應正向電壓（Vf）、反向電壓（Vr）及漏電流（Ir）等參數，以及相應的I-V曲線(xiàn)。常用的測試方法一般為在LED器件的兩端，加電壓測試電流，或者加電流測試電壓。此外，還可以根據客戶(hù)要求，搭配相應的光學(xué)測試系統，測試相應的光學(xué)性能。
（典型二極管I-V特性曲線(xiàn)） （LED光電測試系統示意圖）
Vf正向導通電壓測試
正向導通電壓，是LED在正常工作電流下測量的電壓值。當加載在LED兩端的工作電壓，低于導通電壓時(shí)，通過(guò)LED的電流極小，不發(fā)光。當電壓超過(guò)該值后，通過(guò)LED的電流隨電壓迅速增加，而后LED發(fā)光。常用測試方法為，將LED的正極接在高電位端，負極接在低電位端，逐漸增加LED的電流（電流值一般為幾mA），并同時(shí)測量LED兩端的電壓（電壓值范圍在幾V以?xún)龋?/font>而后根據實(shí)際測試需要，對數據進(jìn)行分析，得到相應的Vf值。
Vr 反向擊穿電壓測試
反向擊穿電壓，是所允許加載在LED兩端的最大反向電壓。當二極管兩端的反向電壓超過(guò)Vr后，反向電流會(huì )急劇增大，二極管將失去單方向導電特性，這種狀態(tài)稱(chēng)為二極管的擊穿。若長(cháng)時(shí)間工作電壓超過(guò)Vr，發(fā)光二極管可能被擊穿損壞。常用測試方法為，將LED的正極接在低電位端，負極接在高電位端，逐漸增加LED的電流（電流值一般為幾mA），并同時(shí)測量LED兩端的電壓（電壓值范圍在幾V以?xún)龋?/font>而后根據實(shí)際測試需要，對數據進(jìn)行分析，得到相應的Vr值。由于源表可作為四象限工作的電壓源，因此，在測試時(shí)，無(wú)需將接線(xiàn)端反接。源表內部會(huì )自動(dòng)根據設定值，切換輸出端的極性。
Ir漏電流測試
漏電流，指LED處于反向偏置狀態(tài)時(shí)，流過(guò)二極管的微弱反向電流。此時(shí)，LED兩端的電壓低于Vr。常用的測試方法為，將LED的正極接在低電位端，負極接在高電位端，而后根據實(shí)際測試需要，設定加載在LED兩端的電壓，測量電流Ir。
-
繪制LED I-V特性曲線(xiàn)測試
-
連接
如下圖所示，選擇合適的夾具，將LED與S型源表進(jìn)行連接
（源表測試連接示意圖）
-
測試步驟
|
步驟 |
操作方法 |
操作界面 |
|
選擇掃描模式 |
【主界面】—>【掃描模式】 |
|
|
設置掃描參數 |
根據實(shí)際測試需要，選擇并設置相應的參數。比如：【掃描類(lèi)型】，【限值】，【掃描模式】，【掃描點(diǎn)】等 |
|
|
啟動(dòng)測試 |
點(diǎn)擊【開(kāi)始掃描】，即可啟動(dòng)測試 |
/ |
|
測試數據 |
待測試完畢后，會(huì )自動(dòng)根據測試結果繪制I-V曲線(xiàn)，并顯示在屏幕上。此外，如果選擇保存【開(kāi)始掃描】，也可在插入U盤(pán)后，導出測試數據 |
|
S型源表簡(jiǎn)介
普賽斯S系列高精度源表，集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能于一體。產(chǎn)品最大輸出電壓達300V，最小測試電流達100pA，分辨率低至10pA，支持四象限工作，因此,可廣泛應用于各種半導體器件I-V電特性測試，如半導體IC，功率半導體器件，傳感器，LED等。產(chǎn)品具有如下特點(diǎn)：
-
采用5寸800*480觸摸顯示屏，全圖形化操作，操作簡(jiǎn)單方便
-
內置豐富的掃描模式，支持線(xiàn)性?huà)呙?、指數掃描及用?hù)自定義掃描
-
四象限工作模式，可在源模式或肼模式下工作
-
支持USB存儲，一鍵導出測試報告
-
兼容多種上位機通訊方式，RS-232、GPIB及以太網(wǎng)
-
可搭配普賽斯自主開(kāi)發(fā)的上位機軟件使用，快速實(shí)現不同器件的測試