 傾佳電子-專(zhuān)業(yè)功率半導體(IGBT單管，IGBT模塊，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN)以及新能源汽車(chē)連接器分銷(xiāo)商，致力于服務(wù)中國工業(yè)電源及新能源汽車(chē)制造商。相較傳統汽車(chē)，新能源汽車(chē)在電驅動(dòng)單元、電氣設備的數量上都有較大的增加，內部動(dòng)力電流及信息電流錯綜復雜，特別是高電流、高電壓的電驅動(dòng)系統對連接器的可靠性、體積和電氣性能提出更高的要求，這意味著(zhù)新能源汽車(chē)對連接器產(chǎn)品需求量及質(zhì)量要求都將大幅提升。在新能源汽車(chē)中，高壓連接器是極其重要的元部件，整車(chē)、充電設施上均有應用。整車(chē)上高壓連接器主要應用場(chǎng)景有：DC、水暖PTC充電機、風(fēng)暖PTC、直流充電口、動(dòng)力電機、高壓線(xiàn)束、維修開(kāi)關(guān)、逆變器、動(dòng)力電池、高壓箱、電動(dòng)空調、交流充電口等。在電動(dòng)汽車(chē)中，碳化硅功率器件的應用主要為兩個(gè)方向，一個(gè)用于電機驅動(dòng)逆變器（電機控制器），另一個(gè)用于車(chē)載電源系統，主要包括：電源轉換系統（車(chē)載DC/DC）、車(chē)載充電系統（OBC）、車(chē)載空調系統（PTC和空壓機）等方面。
脫碳已經(jīng)成為全球的趨勢，在我國雙碳政策下，也即“碳達峰、碳中和”。新能源、新基建、以及光伏發(fā)電逐漸成為矚目的焦點(diǎn)，傾佳電子持續提供高品質(zhì)功率半導體新能源汽車(chē)連接器，在新能源汽車(chē)電控，充電樁，汽車(chē)OBC，新能源發(fā)電，工商業(yè)儲能變流器，電動(dòng)汽車(chē)電機主驅?zhuān)夥孀兤?，儲能變流器PCS，工業(yè)電源等領(lǐng)域與客戶(hù)深入合作，持續服務(wù)客戶(hù)的供應鏈及新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，全力支持中國新能源汽車(chē)及電力電子工業(yè)發(fā)展！
近年來(lái)，傾佳電子-著(zhù)力推廣國產(chǎn)碳化硅SiC功率器件，國產(chǎn)SiC-MOSFET，國產(chǎn)SiC-MOSFET功率模塊，國產(chǎn)氮化鎵GaN HEMT以及配套的隔離驅動(dòng)IC，自舉驅動(dòng)IC,不斷在高壓汽車(chē)電驅系統、高壓快充樁、消費電子適配器，數據中心、通訊基站電源、新型電力系統等領(lǐng)域拓展市場(chǎng)。除了車(chē)載應用，SiC碳化硅的替代IGBT方案開(kāi)始在工業(yè)的UPS系統（不間斷電源）、軌道交通等領(lǐng)域推出。傾佳電子-專(zhuān)業(yè)功率半導體(IGBT單管，IGBT模塊，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN)以及新能源汽車(chē)連接器分銷(xiāo)的元器件在電力電子領(lǐng)域，在功率器件方面發(fā)揮重要作用。更小的元胞尺寸、更低的比導通阻、更低的開(kāi)關(guān)損耗、更好的柵氧保護是碳化硅MOSFET技術(shù)的主要發(fā)展趨勢，體現在應用端上則是更好的性能和更高的可靠性。加之碳化硅器件的高功率密度、高結溫特性、高頻特性要求，也對現有封裝技術(shù)提出更高的要求。由于碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN在導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗方面的卓越性能，可以大大降低電力電子方面應用的能耗。
隨著(zhù)汽車(chē)越來(lái)越智能化，對于連接器在未來(lái)的智能汽車(chē)上，絕不會(huì )僅僅作為一個(gè)電連接點(diǎn)進(jìn)行傳輸，這個(gè)和傳統汽車(chē)會(huì )有非常本質(zhì)上的區別， 未來(lái)的連接器有可能會(huì )變成模塊化，其功能會(huì )隨著(zhù)不同的汽車(chē)部位應用場(chǎng)景，功能也會(huì )有所不同；同時(shí)智能駕駛的出現會(huì )讓連接對于傳輸的穩定性變成強制條件，對于電性能的可靠性，以及其他性能都會(huì )提到更高一個(gè)要求等級；傾佳電子-專(zhuān)業(yè)代理的汽車(chē)智能互聯(lián)連接器與線(xiàn)束，新能源汽車(chē)連接器，新能源汽車(chē)高壓連接器與線(xiàn)束，直流充電座，耐高壓連接器&插座，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN引導電源技術(shù)轉向新的高功率密度和效率、高耐熱性能的解決方案，以減少導通損耗和碳排放。在整個(gè)能源轉換鏈中，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN的節能潛力可為實(shí)現長(cháng)期的全球節能目標作出貢獻。碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN將推動(dòng)電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在很多電力電子應用場(chǎng)景中為能效提升作出貢獻。
智能駕駛系統需要將超聲波雷達、毫米波雷達、攝像頭、激光雷達、網(wǎng)關(guān)、VCU、天線(xiàn)、GPS、5G 通信等進(jìn)行互連。隨著(zhù)高級別ADAS的滲透率快速提升，車(chē)載傳感器用量增加，數據傳輸要求(高速高頻大數據量)相應提高，智能網(wǎng)聯(lián)連接器使用量也隨之增長(cháng)。換電連接器有望成為行業(yè)標配，一方面因為換電模式電動(dòng)車(chē)滲透率的提升，另一方面對于非換電模式的電動(dòng)車(chē)廠(chǎng)家采用換電方案將實(shí)現車(chē)電分離，有利于后期電池的升級、維護和回收。未來(lái)大量電動(dòng)車(chē)電池淘汰后，有望進(jìn)入儲能領(lǐng)域進(jìn)行二次利用，建立統一的連接器接口標準成為行業(yè)的重點(diǎn)。非補能形式的換電方案的車(chē)型將越來(lái)越多，未來(lái)成為行業(yè)標配。
為了提高補能效率，大功率快充成為各車(chē)企的研發(fā)重點(diǎn)。相較于400V架構，切換800V架構能夠使充電時(shí)間減少一半。從400V增至 800V對連接器的可靠性、體積和電氣性能提出了更高要求，其在機械性能、電氣性能、環(huán)境性能三方面均將持續提升。升壓后，高壓連接器將重新選型，增加大功率快充接口及400V到800V的轉化接口，帶動(dòng)高壓連接器單車(chē)價(jià)值量上升。要構建800V高壓平臺，碳化硅功率器件是關(guān)鍵。作為一種寬禁帶半導體材料，碳化硅具有出色的耐高壓性能，并能有效提高系統的整體效率，達到5%至10%的增幅——即同等電池容量，配備碳化硅器件的汽車(chē)續航里程可提高5%到10%。此外，同等性能的碳化硅器件尺寸約為硅器件的1/10，因而它還能降低電驅系統的體積和重量，從而釋放更多車(chē)輛內部空間。盡管 SiC MOSFET 本身成本較高，但會(huì )看到整個(gè)電機驅動(dòng)器系統的價(jià)格下降（通過(guò)減少布線(xiàn)、無(wú)源元件、熱管理等），并且與 Si IGBT 系統相比總體上可能更便宜。這種成本節省可能需要在兩個(gè)應用系統之間進(jìn)行復雜的設計和成本研究分析，但可能會(huì )提高效率并節省成本。
新能源汽車(chē)三電內部動(dòng)力電流及信息電流錯綜復雜，同時(shí)又因汽車(chē)領(lǐng)域特殊的安全性要求，對連接器性能側重點(diǎn)為高電壓、大電流、抗干擾等電氣性能，并且需要具備機械壽命長(cháng)、抗振動(dòng)沖擊等長(cháng)期處于動(dòng)態(tài)工作環(huán)境中的良好機械性能。
基于 SiC 的逆變器使電壓高達 800 V 的電氣系統能夠顯著(zhù)延長(cháng)電動(dòng)汽車(chē)續航里程并將充電時(shí)間縮短一半。在全球汽車(chē)電動(dòng)化的浪潮下，汽車(chē)半導體領(lǐng)域的功率電子器件作為汽車(chē)電動(dòng)化的核心部件，成為了車(chē)企和電機控制器Tire 1企業(yè)關(guān)注的熱點(diǎn)。車(chē)用功率模塊已從硅基IGBT為主的時(shí)代，開(kāi)始逐步進(jìn)入以碳化硅MOSFET為核心的發(fā)展階段。在電機控制器中用碳化硅MOS替換硅基IGBT后，會(huì )獲得電機控制器的效率的提升，NEDC工況下，對電池續航的貢獻提升在3%-8%之間，所以電控應用對碳化硅器件的需求最為迫切。同時(shí)，在國內新能源汽車(chē)市場(chǎng)大力推進(jìn)適應高壓快充技術(shù)的高壓平臺上，硅基IGBT應對起來(lái)就非常吃力，取而代之的是碳化硅MOS。這更加確定了碳化硅功率器件在下一代電控系統中的核心和不可替代性地位。目前新的設計SiC模塊的設計方向是結構緊湊更緊湊，通過(guò)采用雙面銀燒結和銅線(xiàn)鍵合技術(shù)，以及氮化硅高性能AMB陶瓷板、用于液冷型銅基PinFin板、多信號監控的感應端子（焊接、壓接兼容）設計，努力往低損耗、高阻斷電壓、低導通電阻、高電流密度、高可靠性等方向努力。通過(guò)好的設計和先進(jìn)的工藝技術(shù)確保碳化硅MOSFET性能優(yōu)勢在設備中得到最大程度發(fā)揮。
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