傾佳電子(深圳)有限公司

 

脫碳已經(jīng)成為業(yè)界的趨勢，在我國雙碳政策下，也即“碳達峰、碳中和”。新能源、新基建、以及光伏發(fā)電逐漸成為矚目的焦點(diǎn)，傾佳電子持續提供高品質(zhì)功率半導體新能源汽車(chē)連接器，在新能源汽車(chē)電控，充電樁，汽車(chē)OBC，新能源發(fā)電，工商業(yè)儲能變流器，電動(dòng)汽車(chē)電機主驅?zhuān)夥孀兤?，儲能變流器PCS，工業(yè)電源等領(lǐng)域與客戶(hù)深入合作，持續服務(wù)客戶(hù)的供應鏈及新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，全力支持中國新能源汽車(chē)及電力電子工業(yè)發(fā)展！

 

近年來(lái)，傾佳電子-著(zhù)力推廣國產(chǎn)碳化硅SiC功率器件，國產(chǎn)SiC-MOSFET，國產(chǎn)SiC-MOSFET功率模塊，國產(chǎn)氮化鎵GaN HEMT以及配套的隔離驅動(dòng)IC，自舉驅動(dòng)IC,不斷在高壓汽車(chē)電驅系統、高壓快充樁、消費電子適配器，數據中心、通訊基站電源、新型電力系統等領(lǐng)域拓展市場(chǎng)。除了車(chē)載應用，SiC碳化硅的替代IGBT方案開(kāi)始在工業(yè)的UPS系統（不間斷電源）、軌道交通等領(lǐng)域推出。傾佳電子-專(zhuān)業(yè)功率半導體(IGBT單管，IGBT模塊，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN)以及新能源汽車(chē)連接器分銷(xiāo)的元器件在電力電子領(lǐng)域，在功率器件方面發(fā)揮重要作用。更小的元胞尺寸、更低的比導通阻、更低的開(kāi)關(guān)損耗、更好的柵氧保護是碳化硅MOSFET技術(shù)的主要發(fā)展趨勢，體現在應用端上則是更好的性能和更高的可靠性。加之碳化硅器件的高功率密度、高結溫特性、高頻特性要求，也對現有封裝技術(shù)提出更高的要求。由于碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN在導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗方面的出色性能，可以大大降低電力電子方面應用的能耗。

 

隨著(zhù)汽車(chē)越來(lái)越智能化，對于連接器在未來(lái)的智能汽車(chē)上，絕不會(huì )僅僅作為一個(gè)電連接點(diǎn)進(jìn)行傳輸，這個(gè)和傳統汽車(chē)會(huì )有非常本質(zhì)上的區別， 未來(lái)的連接器有可能會(huì )變成模塊化，其功能會(huì )隨著(zhù)不同的汽車(chē)部位應用場(chǎng)景，功能也會(huì )有所不同；同時(shí)智能駕駛的出現會(huì )讓連接對于傳輸的穩定性變成強制條件，對于電性能的可靠性，以及其他性能都會(huì )提到更高一個(gè)要求等級；傾佳電子-專(zhuān)業(yè)代理的汽車(chē)智能互聯(lián)連接器與線(xiàn)束，新能源汽車(chē)連接器，新能源汽車(chē)高壓連接器與線(xiàn)束，直流充電座，耐高壓連接器&插座，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN引導電源技術(shù)轉向新的高功率密度和效率、高耐熱性能的解決方案，以減少導通損耗和碳排放。在整個(gè)能源轉換鏈中，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN的節能潛力可為實(shí)現長(cháng)期的業(yè)界節能目標作出貢獻。碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN將推動(dòng)電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在很多電力電子應用場(chǎng)景中為能效提升作出貢獻。

 

智能駕駛系統需要將超聲波雷達、毫米波雷達、攝像頭、激光雷達、網(wǎng)關(guān)、VCU、天線(xiàn)、GPS、5G 通信等進(jìn)行互連。隨著(zhù)高級別ADAS的滲透率快速提升，車(chē)載傳感器用量增加，數據傳輸要求(高速高頻大數據量)相應提高，智能網(wǎng)聯(lián)連接器使用量也隨之增長(cháng)。換電連接器有望成為行業(yè)標配，一方面因為換電模式電動(dòng)車(chē)滲透率的提升，另一方面對于非換電模式的電動(dòng)車(chē)廠(chǎng)家采用換電方案將實(shí)現車(chē)電分離，有利于后期電池的升級、維護和回收。未來(lái)大量電動(dòng)車(chē)電池淘汰后，有望進(jìn)入儲能領(lǐng)域進(jìn)行二次利用，建立統一的連接器接口標準成為行業(yè)的重點(diǎn)。非補能形式的換電方案的車(chē)型將越來(lái)越多，未來(lái)成為行業(yè)標配。

 

為了提高補能效率，大功率快充成為各車(chē)企的研發(fā)重點(diǎn)。相較于400V架構，切換800V架構能夠使充電時(shí)間減少一半。從400V增至 800V對連接器的可靠性、體積和電氣性能提出了更高要求，其在機械性能、電氣性能、環(huán)境性能三方面均將持續提升。升壓后，高壓連接器將重新選型，增加大功率快充接口及400V到800V的轉化接口，帶動(dòng)高壓連接器單車(chē)價(jià)值量上升。要構建800V高壓平臺，碳化硅功率器件是關(guān)鍵。作為一種寬禁帶半導體材料，碳化硅具有出色的耐高壓性能，并能有效提高系統的整體效率，達到5%至10%的增幅——即同等電池容量，配備碳化硅器件的汽車(chē)續航里程可提高5%到10%。此外，同等性能的碳化硅器件尺寸約為硅器件的1/10，因而它還能降低電驅系統的體積和重量，從而釋放更多車(chē)輛內部空間。盡管 SiC MOSFET 本身成本較高，但會(huì )看到整個(gè)電機驅動(dòng)器系統的價(jià)格下降（通過(guò)減少布線(xiàn)、無(wú)源元件、熱管理等），并且與 Si IGBT 系統相比總體上可能更便宜。這種成本節省可能需要在兩個(gè)應用系統之間進(jìn)行復雜的設計和成本研究分析，但可能會(huì )提高效率并節省成本。

 

新能源汽車(chē)三電內部動(dòng)力電流及信息電流錯綜復雜，同時(shí)又因汽車(chē)領(lǐng)域特殊的安全性要求，對連接器性能側重點(diǎn)為高電壓、大電流、抗干擾等電氣性能，并且需要具備機械壽命長(cháng)、抗振動(dòng)沖擊等長(cháng)期處于動(dòng)態(tài)工作環(huán)境中的良好機械性能。

 

在新型能源體系的發(fā)展趨勢場(chǎng)景下，融合數字技術(shù)、電力電子技術(shù)、熱管理技術(shù)和儲能管理技術(shù)，以實(shí)現發(fā)電的低碳化、用能的電氣化和用電的高效化，以及“源、網(wǎng)、荷、儲、車(chē)”的協(xié)同發(fā)展。傾佳電子-以技術(shù)創(chuàng )新為導向，為客戶(hù)提供高品質(zhì)汽車(chē)智能互聯(lián)連接器與線(xiàn)束，新能源汽車(chē)連接器，新能源汽車(chē)高壓連接器與線(xiàn)束，直流充電座，耐高壓連接器&插座，創(chuàng )新型車(chē)規級互聯(lián)產(chǎn)品，包括線(xiàn)對板、板對板、輸入輸出、電源管理和FFC-FPC連接器，涵蓋2級充電站和可在30分鐘內為EV電池充滿(mǎn)電的3級超快速充電站的高能效電源連接器，用于地下無(wú)線(xiàn)充電的IP67級密封連接器。以及以技術(shù)創(chuàng )新為導向的各類(lèi)功率半導體器件：車(chē)規碳化硅(SiC)MOSFET，大容量RC-IGBT模塊，碳化硅(SiC)MOSFET模塊，IGBT模塊，國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET，IPM模塊，IGBT單管，混合IGBT單管，三電平IGBT模塊，混合IGBT模塊，光伏MPPT碳化硅MOSFET，伺服驅動(dòng)SiC碳化硅MOSFET，逆變焊機國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET，OBC車(chē)載SiC碳化硅MOSFET，儲能變流器PCS碳化硅MOSFET模塊，充電樁電源模塊碳化硅MOSFET，國產(chǎn)氮化鎵GaN，隔離驅動(dòng)IC等產(chǎn)品，傾佳電子全面服務(wù)于中國新能源汽車(chē)行業(yè)，新能源汽車(chē)電控系統，電力電子裝備，新能源汽車(chē)充電樁系統，全液冷超充，高功率密度風(fēng)冷充電模塊，液冷充電模塊，歐標充電樁，車(chē)載DCDC模塊，國網(wǎng)三統一充電模塊光儲變流器，分布式能源、虛擬電廠(chǎng)、智能充電網(wǎng)絡(luò )、V2X、綜合智慧能源、智能微電網(wǎng)智能光儲，智能組串式儲能等行業(yè)應用，傾佳電子為實(shí)現零碳發(fā)電、零碳數據中心、零碳網(wǎng)絡(luò )、零碳家庭等新能源發(fā)展目標奮斗，從而為實(shí)現一個(gè)零碳地球做出貢獻，邁向數字能源新時(shí)代！