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鵬城半導體技術(shù)(深圳)有限公司

半導體設備物理氣相沉積(PVD)-磁控濺射儀、電子束、熱蒸發(fā)鍍膜機、化學(xué)氣相沉積...

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公司介紹
 關(guān)于鵬城半導體
 
鵬城半導體技術(shù)(深圳)有限公司,由哈爾濱工業(yè)大學(xué)(深圳)、北京琨騰科技有限公司以及有多年實(shí)踐經(jīng)驗的工程師團隊共同發(fā)起創(chuàng )建。公司立足于技術(shù)前沿與市場(chǎng)前沿的交叉點(diǎn),尋求創(chuàng )新引領(lǐng)與可持續發(fā)展,解決產(chǎn)業(yè)的痛點(diǎn)和國產(chǎn)化難題,爭取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。
 
公司核心業(yè)務(wù)是半導體材料、工藝和裝備的研發(fā)設計、生產(chǎn)制造。
公司人才團隊知識結構完整,有以哈工大教授和博士為核心的高水平材料研究和工藝研究團隊;還有來(lái)自工業(yè)界的高級裝備設計師團隊和工藝工程師團隊,他們具有20多年成套裝備設計和生產(chǎn)制造經(jīng)驗。
公司依托于哈爾濱工業(yè)大學(xué)(深圳),具備先進(jìn)的半導體研發(fā)平臺和檢測儀器,可以在高起點(diǎn)開(kāi)展科研工作。公司已具有4000多平米潔凈廠(chǎng)房,可開(kāi)展半導體材料和組件的中試、生產(chǎn),同時(shí)可進(jìn)行半導體裝備的生產(chǎn)和調試。
公司在半導體裝備方面已形成多種產(chǎn)品系列,可供用戶(hù)購買(mǎi)。
 
 
業(yè)績(jì)展示
 
完全自主設計制造的分子束外延(MBE)設備,包括自主設計制造的MBE超高真空外延生長(cháng)室、工藝控制系統與軟件、高溫束源爐、高溫樣品臺、Rheed原位實(shí)時(shí)在線(xiàn)監控儀(反射高能電子衍射儀)、直線(xiàn)型電子槍、膜厚儀(可計量外延生長(cháng)的分子層數)、射頻源等關(guān)鍵部件。真空度達到2×10-8Pa。
設備于2005年在浙江大學(xué)光學(xué)儀器國家重點(diǎn)實(shí)驗室投入使用,至今仍在正常使用。
設計制造磁控濺射與等離子體增強化學(xué)氣相沉積法PECVD技術(shù)聯(lián)合系統,應用于團簇式太陽(yáng)能薄膜電池中試線(xiàn)。使用單位中科院電工所。
 
設計制造了金剛石薄膜制備設備,應用于金剛石薄膜材料的研究與中試生產(chǎn)設備?,F使用單位中科院金屬研究所。
設計制造了全自動(dòng)磁控濺射設備,可加水平磁場(chǎng)和垂直磁場(chǎng),自行設計的真空機械手傳遞基片。應用于高密度磁記錄材料與器件的研究和中試?,F使用單位國家光電實(shí)驗室。
設計制造了OLED有機半導體發(fā)光材料及器件的研究和中試成套裝備?,F使用單位香港城市大學(xué)先進(jìn)材料實(shí)驗室。
設計制造了MOCVD及合金退火爐,用于GaN和ZnO的外延生長(cháng),實(shí)現LED無(wú)機半導體發(fā)光材料與器件的研究和中試?,F使用單位南昌大學(xué)國家硅基LED工程技術(shù)研究中心。
設計制造了磁控濺射研究型設備?,F使用單位浙江大學(xué)半導體所。
設計制造了電子束蒸發(fā)儀研究型設備?,F使用單位武漢理工大學(xué)。
公司檔案
公司名稱(chēng): 鵬城半導體技術(shù)(深圳)有限公司 公司類(lèi)型: 企業(yè)單位 ()
所 在 地: 廣東/深圳市 公司規模: 100-499人
注冊資本: 1000萬(wàn)人民幣 注冊年份: 2021
資料認證:
經(jīng)營(yíng)范圍: 半導體設備物理氣相沉積(PVD)-磁控濺射儀、電子束、熱蒸發(fā)鍍膜機、化學(xué)氣相沉積(CVD)-MOCVD、PECVD、LPCVD、超高真空系列-分子束外延系統(MBE)、激光分子束外延系統(LMBE)
銷(xiāo)售的產(chǎn)品: 半導體設備物理氣相沉積(PVD)-磁控濺射儀、電子束、熱蒸發(fā)鍍膜機、化學(xué)氣相沉積(CVD)-MOCVD、PECVD、LPCVD、超高真空系列-分子束外延系統(MBE)、激光分子束外延系統(LMBE)
采購的產(chǎn)品: 半導體設備物理氣相沉積(PVD)-磁控濺射儀、電子束、熱蒸發(fā)鍍膜機、化學(xué)氣相沉積(CVD)-MOCVD、PECVD、LPCVD、超高真空系列-分子束外延系統(MBE)、激光分子束外延系統(LMBE)
主營(yíng)行業(yè):
工業(yè)原材料
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